ナノ分光チーム
チーム概要
ナノ分光チームリーダー
鈴木 基寛
メンバー
ナノ分光チームでは、円偏光放射光による分光法であるX線磁気円二色性 (XMCD) を用いた測定手法の開発、および磁性研究の支援を行っています。BL25SUとBL39XUの2本のビームラインにおいて、それぞれ軟X線領域と硬X線領域のXMCD測定環境を提供しています。
BL25SUでは、軟X線領域のMCD測定の高度化に取り組んでいます。汎用的な電磁石MCD装置に加え、大学などと共同で最大 40 T のパルス磁場MCD測定や、軟X線ナノビームによる走査顕微鏡の開発を行っており、スピントロニクス材料や永久磁石材料の研究を支援しています。
BL39XUでは、強磁場、低温、高圧という複合極端条件下での分光測定の開発を行っています。XMCDに加えてXASやX線発光分光 (XES)といった分光法をも駆使し、高圧化での相転移や物性発現機構の解明を目指しています。また、硬X線ナノビームによる元素選択的な磁気イメージングや、微小磁気デバイス試料の磁化測定を実現しています。軟X線と硬X線MCDの相補的な利活用を基盤とし、電場や高周波等の外場印加条件下での測定、極端測定条件のさらなる拡大、ナノビーム利用の先端化を進めています。
研究・開発成果
極端条件下でのX線分光測定
強磁場、低温、高圧、あるいはそれらを複合させた同時極端条件下でのXMCDおよびXES測定の開発を行っています。強磁場発生のための超伝導マグネット、高圧発生のためのダイヤモンド・アンビルセル (DAC) 、集光ミラー等を用いた実験装置を構築し、XMCD測定に最適化しました [1]。多結晶ナノダイヤモンドをDACに採用することで、グリッチのない高品質なX線吸収スペクトルを高圧下でも取得可能としました [2, 3]。最近では多段式DACによる300 GPa以上の高圧下でのX線分光測定を開発しています [4]。強磁場環境に関しては、パルス磁場XMCD測定の開発を行いました [5, 6]。
これらの装置開発によって得られた主な研究成果として、以下が挙げられます。
- 金のナノ粒子およびバルク金における磁性の観測 [7]
- 超高圧下でのCoの磁気および構造相転移の観測 [8]
- パルス超強磁場下でのEu化合物の価数転移の観測 [5, 9, 10]
- 高エネルギー分解能XES測定によるYb系強相関物質の価数揺動状態の研究 [11, 12]
- SmB6の非磁性-磁性転移における、複合極限環境での価数状態の決定 [13]
- 高エネルギー分解能XAFS (HERFD-XAS) によるウラン化合物の高圧下での価数転移 [14]
- 高エネルギー分解能XAFS (HERFD-XAS) によるEu化合物の価数転移 [15]
ナノビームXMCD
光源・光学系部門の協力のもと、集光X線ビーム(ナノビーム)を用いたXMCDおよびXAFS測定の開発を行っています。BL39XU ではKBタイプの反射ミラーを導入することで、100 nm 径の円偏光硬X線ビームの利用を可能としました [16]。可変磁場下での走査型磁気イメージングや、局所領域のXMCD、微小デバイス試料の元素選択的磁化測定が行われています[17]。
最近では硬X線磁気トモグラフィー法による3次元磁区観察法の開発を行っています[18]。
BL25SUでは、フレネルゾーンプレートを用いた軟X線走査顕微鏡の開発 [19]を行っており、永久磁石材料やスピントロニクスデバイス材料等の観察に利用されています。
これらの装置開発によって得られた主な研究成果として、以下が挙げられます。
- ビットパターン媒体の単一磁気ドットの磁気特性評価 [20]
- 単粒子触媒の化学的活性部位の可視化 [21]
- ネオジム焼結磁石の磁化反転過程の観察 [19, 22, 23, 24]
- 走査型XMCDによる磁気トモグラフィー法の開発 [18]
- Cr2O3における反強磁性磁区の電界制御 [25]
電界・高周波印加条件でのX線分光測定
スピントロニクス材料として用いられる磁性積層膜では、電界や電流によって磁性を制御することが可能となっています。ナノ分光チームでは、電界印加下でのX線分光測定法を開発し、スピントロニクス現象の発現機構の解明に寄与しています。多素子シリコンドリフト検出器を導入することで、蛍光モードでのXMCD測定の検出効率や統計精度を格段に向上し、電界によるスペクトルの微弱な変化を捉えることを可能としました。BL25SUでは超高真空中で試料に電界を印加するための試料ホルダーを標準化し、実験の効率や信頼性を向上させました。また、BL39XUではGHz帯の高周波とX線パルスを位相同期させ、さらにナノビームを利用した、時間分解・顕微XMCD測定システムを開発しています [26, 27]。
BL25SUでは超高真空対応のX線チョッパーを開発し、時分割測定に活用されています [28]。
これらの装置開発によって得られた主な研究成果として、以下が挙げられます。
- 強磁性薄膜の電界誘起磁気異方性のメカニズム解明 [29, 30, 31, 32]
- クロム酸化物反強磁性体薄膜の微弱磁化の電界制御 [33]
- マルチフェロイックデバイスにおける電圧磁性制御 [34]
- 高周波磁気デバイスのスピン歳差励起の元素選択的観測 [27, 35]
- N. Kawamura, N. Ishimatsu, and H. Maruyama, J. Synchrotron Rad. 16, 730 (2009).
- N. Ishimatsu, K. Matsumoto, H. Maruyama, N. Kawamura, M. Mizumaki, H. Sumiya, and T. Irifune, J. Synchrotron Rad. 19, 768 (2012).
- N. Ishimatsu, N. Kawamura, M. Mizumaki, H. Maruyama, H. Sumiya, and T. Irifune, High Press. Res. 36, 381 (2016).
- K. Kuramochi, N. Ishimatsu, T. Sakai, N. Kawamura, and T. Irifune, High Pressure Research 40, 119 (2020).
- Y. H. Matsuda, Z. W. Ouyang, H. Nojiri, T. Inami, K. Ohwada, M. Suzuki, N. Kawamura, A. Mitsuda, and H. Wada, Phys. Rev. Lett. 103, 046402 (2009).
- T. Nakamura, Y. Narumi, T. Hirono, M. Hayashi, K. Kodama, M. Tsunoda, S. Isogami, H. Takahashi, T. Kinoshita, K. Kindo, and H. Nojiri, Appl. Phys. Express 4, 066602 (2011).
- M. Suzuki, N. Kawamura, H. Miyagawa, J. S. Garitaonandia, Y. Yamamoto, and H. Hori, Phys. Rev. Lett. 108, 47201 (2012).
- N. Ishimatsu, N. Kawamura, H. Maruyama, M. Mizumaki, T. Matsuoka, H. Yumoto, H. Ohashi, and M. Suzuki, Phys. Rev. B 83, 180409 (2011).
- T. Nakamura, T. Hirono, T. Kinoshita, Y. Narumi, M. Hayashi, H. Nojiri, A. Mitsuda, H. Wada, K. Kodama, K. Kindo, and A. Kotani, J. Phys. Soc. Jpn. 81, 103705 (2012).
- H. Yasumura, Y. Narumi, T. Nakamura, Y. Kotani, A. Yasui, E. Kishaba, A. Mitsuda, H. Wada, K. Kindo, and H. Nojiri, J. Phys. Soc. Jpn. 86, 054706 (2017).
- K. Matsubayashi, T. Hirayama, T. Yamashita, S. Ohara, N. Kawamura, M. Mizumaki, N. Ishimatsu, S. Watanabe, K. Kitagawa, and Y. Uwatoko, Phys. Rev. Lett. 114, 086401 (2015).
- N. Kawamura, N. Kanai, H. Hayashi, Y.H. Matsuda, M. Mizumaki, K. Kuga, S. Nakatsuji, and S. Watanabe, J. Phys. Soc. Jpn. 86, 014711 (2017).
- N. Emi, N. Kawamura, M. Mizumaki, T. Koyama, N. Ishimatsu, G. Pristáš, T. Kagayama, K. Shimizu, Y. Osanai, F. Iga, and T. Mito, Phys. Rev. B 97, 161116 (2018).
- N. Kawamura, Y. Hirose, F. Honda, R. Shimokasa, N. Ishimatsu, M. Mizumaki, S. I. Kawaguchi, N. Hirao, and K. Mimura, JPS Conf. Proc. 30, 011172 (2020).
- R. Shimokasa, N. Kawamura, T. Kawabata, G. Isumi, T. Uozumi, A. Mitsuda, H. Wada, F. Honda, M. Hedo, T. Nakama, Y. Ōnuki, M. Mizumaki, and K. Mimura, JPS Conf. Proc. 30, 011134 (2020).
- M. Suzuki, N. Kawamura, M. Mizumaki, Y. Terada, T. Uruga, A. Fujiwara, H. Yamazaki, H. Yumoto, T. Koyama, Y. Senba, T. Takeuchi, H. Ohashi, N. Nariyama, K. Takeshita, H. Kimura, T. Matsushita, Y. Furukawa, T. Ohata, Y. Kondo, J. Ariake, J. Richter, P. Fons, O. Sekizawa, N. Ishiguro, M. Tada, S. Goto, M. Yamamoto, M. Takata, and T. Ishikawa, J. Phys. Conf. Ser. 430, 012017 (2013).
- M. Suzuki, H. Yumoto, T. Koyama, H. Yamazaki, T. Takeuchi, N. Kawamura, M. Mizumaki, H. Osawa, Y. Kondo, J. Ariake, A. Yasui, Y. Kotani, N. Tsuji, T. Nakamura, S. Hirosawa, K. T. Yamada, S. Kim, K. J. Kim, M. Ishibashi, T. Ono, and H. Ohashi, Synchrotron Radiation News 33, 4 (2020).
- M. Suzuki, K.-J. Kim, S. Kim, H. Yoshikawa, T. Tono, K. T. Yamada, T. Taniguchi, H. Mizuno, K. Oda, M. Ishibashi, Y. Hirata, T. Li, A. Tsukamoto, D. Chiba, and T. Ono, Appl. Phys. Express 11, 036601 (2018).
- Y. Kotani, Y. Senba, K. Toyoki, D. Billington, H. Okazaki, A. Yasui, W. Ueno, H. Ohashi, S. Hirosawa, Y. Shiratsuchi, and T. Nakamura, J. Synchrotron Rad. 25, 1444 (2018).
- M. Suzuki, Y. Kondo, and J. Ariake, J. Appl. Phys. 120, 144503 (2016).
- N. Ishiguro, T. Uruga, O. Sekizawa, T. Tsuji, M. Suzuki, N. Kawamura, M. Mizumaki, K. Nitta, T. Yokoyama, and M. Tada, ChemPhysChem 15, 1563 (2014).
- M. Suzuki, A. Yasui, Y. Kotani, N. Tsuji, T. Nakamura, and S. Hirosawa, Acta Mater. 106, 155 (2016).
- D. Billington, K. Toyoki, H. Okazaki, Y. Kotani, T. Fukagawa, T. NISHIUCHI, S. Hirosawa, and T. Nakamura, Phys. Rev. Mater. 2, 104413 (2018).
- S. Okamoto, K. Miyazawa, T. Yomogita, N. Kikuchi, O. Kitakami, K. Toyoki, D. Billington, Y. Kotani, T. Nakamura, T. Sasaki, T. Ohkubo, K. Hono, Y. Takada, T. Sato, Y. Kaneko, and A. Kato, Acta Mater. 178, 90 (2019).
- Y. Shiratsuchi, H. Yoshida, Y. Kotani, K. Toyoki, T. V. A. Nguyen, T. Nakamura, and R. Nakatani, APL Mater. 6, 121104 (2018).
- H. Osawa, T. Kudo, and S. Kimura, Jpn. J. Appl. Phys., 048001 (2017).
- N. Kikuchi, H. Osawa, M. Suzuki, and O. Kitakami, IEEE Trans. Mag. 54, 6100106 (2018).
- H. Osawa, T. Ohkochi, M. Fujisawa, S. Kimura, and T. Kinoshita, J. Synchrotron Rad. 24, 560 (2017).
- S. Miwa, M. Suzuki, M. Tsujikawa, K. Matsuda, T. Nozaki, K. Tanaka, T. Tsukahara, K. Nawaoka, M. Goto, Y. Kotani, T. Ohkubo, F. Bonell, E. Tamura, K. Hono, T. Nakamura, M. Shirai, S. Yuasa, and Y. Suzuki, Nat Commun. 8, 15848 (2017).
- K. T. Yamada, M. Suzuki, A.-M. Pradipto, T. Koyama, S. Kim, K.-J. Kim, S. Ono, T. Taniguchi, H. Mizuno, F. Ando, K. Oda, H. Kakizakai, T. Moriyama, K. Nakamura, D. Chiba, T. Ono, Phys. Rev. Lett. 120, 157203 (2018).
- M. Suzuki, T. Tsukahara, R. Miyakaze, T. Furuta, K. Shimose, M. Goto, T. Nozaki, S. Yuasa, Y. Suzuki, and S. Miwa, Appl. Phys. Express 10, 063006 (2017).
- T. Kawabe, K. Yoshikawa, M. Tsujikawa, T. Tsukahara, K. Nawaoka, Y. Kotani, K. Toyoki, M. Goto, M. Suzuki, T. Nakamura, M. Shirai, Y. Suzuki, and S. Miwa, Phys. Rev. B 96, 220412 (2017).
- T. Nozaki, M. Al-Mahdawi, Y. Shiokawa, S. P. Pati, S. Ye, Y. Kotani, K. Toyoki, T. Nakamura, M. Suzuki, S. Yonemura, T. Shibata, and M. Sahashi, Phys. Stat. Sol. RRL 20, 530 (2018).
- S.-J. Chang, M.-H. Chung, M.-Y. Kao, S.-F. Lee, Y.-H. Yu, C.-C. Kaun, T. Nakamura, N. Sasabe, S.-J. Chu, and Y.-C. Tseng, ACS Appl. Mater. Interfaces 11, 31562 (2019).
- N. Kikuchi, T. Yomogita, K. Sato, S. Okamoto, O. Kitakami, H. Osawa, M. Suzuki, K. Toyoki, Y. Kotani, and T. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 59, SEED03 (2020).
プレスリリース
2016〜2020年
- 価数の異なるイオンの周辺原子の並び方を区別できる新しい放射光X線利用技術, 熊本大学, 名古屋工業大学, 奈良先端科学技術大学院大学, 広島大学, JASRI, 2020年3月2日.
- 有機分子で初めてスピン移行に成功〜分子を利用した集積量子演算への第一歩〜, 東京大学, 東北大学, 大阪大学, 分子科学研究所, JASRI, 2019年12月12日.
- 磁石につかない反強磁性体の磁化の動きを可視化 ‐磁気デバイスの低消費電力化・高速化を加速‐, 大阪大学, JASRI, 2018年12月19日.
- クロム酸化物反強磁性体薄膜の微弱磁化を自在に制御する技術を開発-従来不可能だった数ナノメートル厚の反強磁性スピンの電圧反転も視野に-, 東北大学, JASRI, 科学技術振興機構 (JST), 内閣府政策統括官(科学技術・イノベーション担当) , 2018年10月11日.
- 原子磁石どうしが捻れて並ぶ現象のミクロな起源を解明 ―新原理の情報記録技術をめざして―, 京都大学, 東京大学, 三重大学, JASRI, 2018年4月25日.
- 金属の磁性を電界で制御するためのミクロなメカニズムを解明, 京都大学, JASRI, 東京大学, 三重大学, 電力中央研究所, 2018年4月3日.
- 高効率な電圧スピン制御を実現する磁気メモリー用材料を開発~低消費電力の電圧制御型磁気メモリーの実用化に前進~, 産業技術総合研究所, 科学技術振興機構 (JST), 2017年12月1日.
- 原子の形を変えて超省エネ磁気メモリ -大型放射光施設SPring-8で電圧磁気効果の新原理解明-, 大阪大学, 科学技術振興機構, JASRI, 産業技術総合研究所, 東北大学, 2017年6月23日.
- 銅の薄膜内に人工的に誘起した磁化が膜面に垂直方向を向くことを実証, 東京大学, JASRI, 東北大学, 2017年4月13日.
- 新しい結合の形成を伴う固体のスピンクロスオーバー現象を観測, 物質・材料研究機構, JASRI, KEK, 2016年11月15日.
- 酸化物高温強磁性半導体に潜む 特異な原子配列の3D原子像化に成功-高温強磁性の謎解明へ-, 東北大学, 日本原子力研究開発機構, 東京大学, 広島市立大学, 熊本大学, JASRI, 2015年6月4日.
- 磁気秩序相の背後に潜む電荷の不安定性による新奇な量子相転移の発見, 東京大学, 名古屋工業大学, JASRI, 広島大学, 九州工業大学, 高知大学, 2015年2月27日.
- 高い磁気転移温度を持つハーフメタル新材料の合成に成功 -超高密度磁気メモリーなどスピントロニクスデバイスへ応用可能な新材料-, 京都大学, JASRI, JST, 2014年5月23日.
- 放射光でキラル物質の3次元透視を実現 -機能を左右する物質の利き手の違いをレントゲン的に識別-, 理化学研究所, 東京大学大学院, 青山学院大学, JASRI, 2013年6月27日.
- 性質の異なる磁性体の接合界面に在る “傾くスピン” の可視化に成功-磁気デバイスの大容量化・小型化を加速-, 大阪大学, JASRI, 2012年8月7日.
- 磁界制御による新しいスピン素子の機能実証に成功 ‐レアメタルフリー材料で記録と演算の2つの機能を兼ね備えた磁気デバイスに道‐, 大阪大学, JASRI, 東北大学, 2012年7月2日.
- 金 (Au) における隠れた磁性の存在が明らか に-ナノ粒子の磁気的性質の解明へ大きな手がかり-, JASRI, 2012年1月23日.
- 温めると縮む新材料を発見 - 既存材料の3倍収縮、精密機器の位置決めに威力 -, 東京工業大学, 京都大学, JASRI, JAEA, 2011年6月15日.
- 世界で初めて超強力磁場中の軟X線分光実験を実現 - レアアースを低減した高性能磁石開発を加速 -, JASRI, 東北大学, 東京大学物性研, 2011年5月30日.
- コバルトは超高圧の下でも磁性を失わないことを発見 ・同じ強磁性体元素の鉄とは異なる結果で物質科学の重要な知見を提供 ・ 広島大学、JASRI, 2011年5月11日.
- 世界で初めて酸化物人工格子の界面中に潜む微弱なチタンの磁性を検出-今後のデバイス素材開発に大いに貢献する可能性-, JASRI, 2010年9月21日.
- 星から生まれる次世代磁気デバイス - ナノテクと惑星科学の融合した未来志向のものづくり -, JASRI, 広島大学, KEK, 東京大学. 2009年12月16日.
- 超強磁場X線分光実験の世界記録を抜本的に更新, 東北大学金属材料研究所, 東京大学物性研究所, 日本原子力研究開発機構, JASRI, 九州大学, 2009年7月28日.
- 金ナノ微粒子の強磁性を世界で初めて確認-ナノ磁性微粒子材料の設計指針への期待-, 北陸先端科学技術大学院大学, JASRI, 2004年9月9日.